JSR株式会社（本社：東京都港区、代表取締役CEO：エリック・ジョンソン、以下JSR）は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）より公募された「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業／先端半導体製造技術の開発（助成）/露光周辺技術開発/EUV（極端紫外線）露光装置向け次世代フォトレジスト技術開発」に対して「N1.5（1.5ナノメートル世代）向けMOR（メタルオキサイドレジスト）の研究開発」（以下、「本事業」）を提案し、採択されました。

　「ポスト5Ｇ情報通信システム基盤強化研究開発事業」は、ポスト5G情報通信システムや当該システムで用いられる半導体を開発するとともに、ポスト5Gで必要となる先端的な半導体を将来的に国内で製造できる技術を確保するため、先端半導体の製造技術の開発に取り組むものです。

先端半導体の更なる微細化が進展する中で、微細化において重要となる露光工程においては、EUV光を用いた 露光技術が実用化されております。EUVでは、光源の波長が 13.5nm と従来の露光技術と比較して短いことから、その周辺材料・部材もそれに対応した技術が必要となっています。微細化はマルチパターニングによっても実現が可能である一方、マルチパターニングは露光時間やマスク枚数の増加により高コスト化の要因となるため、可能な限り少ない露光回数であることが望ましいとされています。EUV露光技術では、より微細なパターニングを行うため開口数（NA）を向上させる等の研究開発が行われており、フォトレジストもそれに対応した高い分解能が求められています。JSRグループは、本事業において高い開口数のEUV露光（High-NA EUV）に対応した新たなフォトレジストであるMORの製品技術を確立し、International Roadmap for Devices and Systems(IRDS)で定めるN1.5向け以降の最先端半導体プロセスへの適用および社会実装を目指します。

（参考）NEDOウェブサイトへのリンク：

「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業／先端半導体製造技術の開発（助成）」に係る実施予定先の決定について