JSR株式会社（社長：小柴満信）は、米国の半導体製造技術研究組合であるSEMATECH（セマテック）が米国ニューヨーク州アルバニーにあるナノスケール科学工科大学（CNSE）で行っているEUV （極端紫外線)リソグラフィ技術の開発プログラムに、2010年5月より新たに参加いたしました。

　当社は、このプログラムの中で、EUVリソグラフィ技術を用いて、回路線幅22nm(nmは10億分の1m）以下の微細パターンを形成に必要なフォトレジスト（感光性樹脂）の材料開発およびプロセス開発を、SEMATECHと共同で行います。

　EUVリソグラフィ技術は、現在先端デバイスの製造に用いられているArFエキシマレーザー光(波長：193nm)よりも一桁波長が短い13.2nmのEUV光を用いることから、ArFリソグラフィでは原理的に解像が困難な20nm以下の超微細なパターン形成を可能にする次世代技術です。

　2012年以降に量産が開始される16nmノード以降のデバイス生産を可能にする技術として、EUVリソグラフィ技術は有望視されており、2010年中には複数の半導体製造メーカーで試作機が導入される予定です。

　なお、当社は、以前にもLow-k材料や先端フォトレジスト材料などの開発においてSEMATECHの共同研究プログラムに参加しています。

＜CNSEについて＞
CNSE(The UAlbany CNSE)は、ナノサイエンス、ナノエンジニアリング、ナノバイオサイエンス、ナノエコノミクスの新規領域の教育、研究、開発に特化した世界初の大学です。約7500平方メートルのクラス1のクリーンルーム棟の中に、300mmウェーハ対応の試作・評価の完全自動化ラインを有しています。 　www.cnse.albany.edu

＜SEMATECHについて＞
1987年設立以来20年以上、SEMATECHは、半導体の研究開発を製造にいち早く転換すべく、グローバルな視点での方向性、柔軟に富んだ協業体制、研究から製造への戦略を開発しています。SEMATECHはさらに、ナノエレクトロニクスや新興技術領域のパートナー企業・機関とともに次世代技術革新を加速させています。 　www.sematech.com